类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　最大漏极电流：200A
　　最大漏源电压：65V
　　最大工作频率：500MHz
　　输出功率：200W
　　封装形式：金属陶瓷封装
　　增益：20dB
　　静态工作点：Class AB
　　热阻：0.25°C/W
　　封装尺寸：标准工业封装

SWR200MHC 采用先进的LDMOS技术，具有优异的高频响应和线性放大能力，能够在宽频率范围内稳定工作。
　　该器件的高输出功率（可达200W）和高效率（通常超过70%）使其适用于高要求的射频放大应用，如广播发射机、无线通信基站和工业加热设备。
　　其金属陶瓷封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件在高功率下的机械稳定性和热稳定性。
　　此外，SWR200MHC 具有良好的失真控制能力，适合用于需要高保真信号放大的系统，如专业级的音频和射频发射设备。
　　该晶体管的输入和输出阻抗匹配良好，简化了外围电路设计，降低了系统复杂度和成本。
　　由于其高可靠性和长寿命，SWR200MHC 也广泛应用于需要长时间连续运行的工业和通信设备中。

SWR200MHC 主要用于广播设备中的射频功率放大器模块，提供高保真、高稳定性的信号放大。
　　在无线通信系统中，SWR200MHC 可用于基站功率放大器，支持多种通信标准（如GSM、CDMA、LTE）的高功率发射需求。
　　它也适用于工业和科学设备中的射频能量控制，如射频加热炉、等离子体发生器等。
　　此外，该器件还可用于测试与测量设备，如射频信号发生器和功率放大器测试平台，提供高精度和稳定的测试环境。
　　在军事和航空航天领域，SWR200MHC 也可用于高可靠性通信和雷达系统的功率放大环节。

STAC6868B, NRD300AN, MRF6VP20250N