时间：2025/8/7 3:37:07
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SWP4N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备良好的热稳定性和电性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等领域。SWP4N60的封装形式通常为TO-220或TO-252，具备较高的耐用性和散热能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220/TO-252
SWP4N60 MOSFET在设计上采用了先进的平面技术，使其在高压工作条件下具备优异的性能。该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，SWP4N60具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行，适用于各种高功率密度设计场景。
该MOSFET的栅极驱动设计简单，能够与常见的PWM控制器兼容，便于实现高效的开关控制。其较高的击穿电压和过载能力，使其在复杂的工作环境中具备良好的可靠性。SWP4N60还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。
SWP4N60广泛应用于各种电力电子设备中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机驱动器以及家用电器中的电源管理系统。由于其高耐压和良好的导通性能，SWP4N60也适用于工业自动化控制和电源管理系统中的开关控制模块。
FQP4N60, IRF740, STP4NK60Z
