SWP10N65 时间：2025/8/28 12:49:13 阅读：15

SWP10N65 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高功率和高频率开关应用。该器件具有较低的导通电阻、快速的开关速度以及较高的热稳定性，使其适用于诸如电源转换器、电机驱动器、DC-DC 转换器和照明系统等高效率电源管理系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：650V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：10A（在 Tc=100℃）
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为 0.68Ω（在 Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：最大 50W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK 等

特性

SWP10N65 以其卓越的性能和稳定性著称。其低导通电阻 Rds(on) 可有效降低导通损耗，从而提高整体系统效率。器件采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的热管理和可靠性。其高耐压特性（650V）使其非常适合用于高压功率转换系统。此外，该 MOSFET 具有快速的开关速度，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。器件的栅极驱动电压范围较宽（通常 10V 至 20V），可以与多种驱动器兼容。此外，SWP10N65 的封装设计（如 TO-220）有助于散热，从而提高器件在高功率条件下的稳定性。
　　另一个关键特性是其高雪崩能量耐受能力，这使其在面对电压瞬变和过载条件时仍能保持稳定运行。此外，该器件的封装形式支持通孔安装，便于在各种 PCB 设计中使用。SWP10N65 还具有良好的抗短路能力和高热稳定性，进一步增强了其在严苛环境下的可靠性。