型号：SWG3435
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：3.4A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：13.6A
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.2Ω，最大值2.8Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：约950pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约290pF
　　反向恢复时间（trr）：快速体二极管
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252(DPAK)
　　引脚数：3

SWG3435具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高耐压与低导通电阻的平衡设计。该器件的漏源击穿电压高达600V，能够承受瞬态高压冲击，确保在开关电源等高压环境中安全运行。同时，其在Vgs=10V条件下的导通电阻Rds(on)最大仅为2.8Ω，典型值更可低至2.2Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统整体效率。这种低Rds(on)特性对于减少发热、提升功率密度至关重要，尤其是在紧凑型电源设计中意义重大。
　　该MOSFET采用了优化的平面栅结构工艺，提升了器件的可靠性和抗雪崩能力。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为27nC，有助于实现快速开关动作，减少开关损耗，从而支持更高频率的工作模式。这对于提高DC-DC变换器的效率和减小磁性元件体积非常有利。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr），减少了关断过程中的反向电流尖峰，抑制了电磁干扰（EMI），增强了系统的电磁兼容性。
　　在热性能方面，SWG3435的封装采用TO-252标准功率封装，具有良好的热传导路径，可通过PCB铜箔或外接散热片有效散热。其最大功耗可达50W，在自然对流或强制风冷条件下均可稳定工作。工作结温范围从-55℃到+150℃，表明其可在极端环境温度下长期运行，适用于工业控制、户外照明等恶劣工况场合。
　　该器件还具备较强的抗浪涌能力和静电防护能力，栅源电压容限达到±20V，避免因驱动信号异常导致器件损坏。整体设计符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造需求。由于其参数特性与国际主流厂商产品高度兼容，已成为许多电源方案中国产替代的关键选择之一。

SWG3435主要应用于各类中低功率开关电源系统中，典型用途包括通用AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LED恒流驱动电源、小型逆变器、DC-DC降压/升压转换器以及家用电器中的电机控制模块。在离线式反激变换器（Flyback Converter）中，该MOSFET常被用作主开关管，配合PWM控制器实现高效能量传输。由于其600V耐压等级，特别适合用于全球通用输入电压范围（85V~265V AC）的电源设计。
　　在LED照明领域，SWG3435可用于隔离式或非隔离式恒流源电路，驱动中小功率LED灯串，如球泡灯、日光灯管、吸顶灯等，凭借其高效率和良好热稳定性，有助于延长灯具寿命并降低能耗。在工业电源应用中，该器件也常见于辅助电源（Auxiliary Power Supply）、继电器驱动电路或PLC模块中的功率切换单元。
　　此外，随着国产化替代进程加快，SWG3435越来越多地被用于通信设备电源、智能电表、充电桩辅助电源等对可靠性要求较高的场合。其TO-252封装形式支持自动化贴片生产，适合大规模制造，同时具备一定的散热能力，无需额外增加复杂散热结构即可满足多数应用场景的需求。对于需要成本优化且性能稳定的中低端电源产品而言，SWG3435是一个极具竞争力的解决方案。

SPW3435
　　FQP3435
　　KIA3435
　　STP3435