型号：SWG3403
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：110A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：360A
　　导通电阻RDS(on)：2.3mΩ（@VGS=10V）
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：4500pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：1200pF
　　反向恢复时间trr：25ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（D-Pak）

SWG3403采用先进的沟槽式MOSFET工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而有效减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效表现。在实际应用中，尤其是在大电流工作的条件下，低RDS(on)意味着更小的发热和更高的能量利用率，这对于提高电源转换效率和延长设备使用寿命至关重要。该器件在VGS=10V时测得的典型RDS(on)仅为2.3mΩ，表现出优异的导通性能，能够胜任高负载电流的应用场景，如同步整流、电池管理系统和电机驱动电路等。
　　除了低导通电阻外，SWG3403还具备出色的开关特性。其输入电容和输出电容经过优化设计，使得器件在高频开关操作中具有较低的驱动损耗和更快的响应速度。这使其非常适合用于高频DC-DC变换器、开关电源和PWM控制电路中，有助于减小外围滤波元件的体积并提升系统功率密度。同时，该MOSFET的栅极阈值电压较低，通常在1.0V至2.5V之间，支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器或驱动IC进行控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　在可靠性方面，SWG3403具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在瞬态过载或反向感应电压冲击下保持安全运行。器件内部结构经过优化，有效抑制了寄生双极晶体管的导通风险，防止二次击穿现象的发生。此外，它还具有较强的静电放电（ESD）防护能力，提高了在生产装配和现场使用过程中的鲁棒性。TO-252封装不仅提供了良好的散热性能，也便于自动化贴片生产，适用于大规模制造流程。综合来看，SWG3403凭借其高性能参数、稳定可靠的表现以及成本优势，在众多中低电压功率应用中展现出强大的竞争力。

SWG3403广泛应用于各类中低电压直流电源系统中，尤其适用于需要高效能、小体积和高可靠性的功率开关场合。在同步整流型DC-DC转换器中，该器件常被用作主开关管或续流管，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率，减少能量损耗。这类应用常见于通信设备电源模块、笔记本电脑适配器、嵌入式主板供电系统等对能效要求较高的场景。
　　在电池供电设备中，例如电动工具、无人机、移动储能电源和便携式医疗仪器中，SWG3403可用于电池充放电管理电路或负载开关控制，实现对电流路径的精确控制与保护。其高电流承载能力和低导通压降有助于延长电池续航时间，并降低系统温升。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为上下桥臂开关元件使用。其快速的开关响应和良好的热稳定性确保了电机运行平稳，响应迅速，同时避免因过热导致的性能下降或损坏。
　　在LED驱动电源、USB PD快充适配器、逆变器和UPS不间断电源等消费类及工业类产品中，SWG3403同样发挥着重要作用。它可作为主开关管参与能量传递过程，也可用于过流保护、热插拔控制等功能模块。由于其封装紧凑且支持表面贴装工艺，特别适合高密度PCB布局设计，满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。

SI4403DY-T1-GE3
　　AON6260
　　IRLR2707