时间：2025/8/24 2:28:23
阅读：4
SWEL2012C27NJT 是一款由 Semtech 公司生产的射频（RF）晶体管，属于 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），专为高性能射频功率放大器应用设计。该晶体管基于 GaN（氮化镓）技术，具有高效率、高功率密度和出色的热性能，适用于无线通信、雷达系统和工业设备中的射频功率放大器。
类型：GaN FET
封装类型：表面贴装
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏极-源极电压（VDS）：65V
最大栅极-源极电压（VGS）：-4V 至 +3V
输出功率：在 2.7GHz 下为 125W
频率范围：2.3GHz 至 2.9GHz
增益：约 14dB（典型值）
效率：约 65%（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SWEL2012C27NJT 是一款专为射频功率放大应用设计的 GaN 晶体管，具有出色的高频性能和高效的功率输出能力。其 GaN 技术提供了比传统 LDMOS 晶体管更高的功率密度和更高的工作频率能力，使其适用于现代通信系统中对高带宽和高输出功率的要求。该晶体管能够在 2.3GHz 至 2.9GHz 的频段内提供高达 125W 的输出功率，在典型工作条件下具有 14dB 的增益和 65% 的效率，这使其在基站、雷达和测试设备中表现出色。此外，该器件采用表面贴装封装，具有良好的热管理和可靠性，可在苛刻的环境条件下稳定运行。SWEL2012C27NJT 还具有良好的线性度和抗失真能力，适合用于多载波通信系统中的高功率放大应用。
SWEL2012C27NJT 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器，例如 4G 和 5G 基站、WiMAX 系统、雷达和测试测量设备。它也适用于需要高功率输出和高效率的工业和军事射频系统。
SWEL2012C27NJT 可以替代的型号包括：SWEL2012C27NSI、SWEL2012C27NFB 和类似的 GaN 功率晶体管如 Cree 的 CGH40120。
