时间：2025/5/13 18:16:30
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SWD2N60是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用了先进的DMOS工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点。
其封装形式通常为TO-220或TO-247，适用于高功率密度的设计需求。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻：5.5Ω
栅极阈值电压：3V~5V
总功耗：12W
工作温度范围：-55℃~+150℃
SWD2N60的高击穿电压使其能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。同时，较低的导通电阻可以有效减少导通损耗，提高整体效率。
此外，该器件还具备优秀的开关性能，能够满足高频应用的需求。其封装设计优化了散热性能，从而延长了器件的使用寿命。
由于其紧凑的尺寸和高性能表现，SWD2N60非常适合用于需要高效能和小体积的应用场合。
SWD2N60广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、电磁阀控制以及光伏逆变器等领域。
在这些应用中，它凭借高耐压能力和低损耗特性，能够显著提升系统的效率和可靠性。
特别是在汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中，SWD2N60得到了越来越多的应用。
FDP028N60
IRF640
STP2N60F
