型号：SWB-B72
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：75V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id（@25℃）：120A
　　脉冲漏极电流Idm：480A
　　导通电阻Rds(on)（max）：6.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)（typ）：5.2mΩ @ Vgs=10V
　　阈值电压Vgs(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：6800pF @ Vds=25V
　　输出电容Coss：1350pF @ Vds=25V
　　反向传输电容Crss：110pF @ Vds=25V
　　栅极电荷Qg（typ）：95nC @ Vds=60V, Id=60A
　　体二极管反向恢复时间trr：45ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　极性：N-Channel

SWB-B72具有出色的导通性能和开关特性，其最大导通电阻仅为6.5mΩ（在Vgs=10V条件下），这意味着在大电流工作状态下能够显著降低导通损耗，提升系统效率。这一低Rds(on)特性使其特别适合用于高电流密度的应用场景，如大功率DC-DC转换器和电机驱动电路。该器件的连续漏极电流可达120A（在25℃下），脉冲电流能力高达480A，表现出强大的瞬态负载承受能力，能够在短时间内应对峰值电流冲击而不会发生热击穿或性能退化。
　　该MOSFET采用了优化的芯片结构设计，有效降低了寄生参数的影响，提高了开关速度并减少了开关过程中的能量损耗。其输入电容Ciss为6800pF，输出电容Coss为1350pF，反向传输电容Crss为110pF，在高频开关应用中表现出良好的动态响应特性。较低的Crss有助于减小米勒效应带来的干扰，从而增强电路的稳定性和抗噪声能力。同时，该器件的栅极电荷Qg典型值为95nC，这在同类产品中属于较低水平，意味着驱动电路所需提供的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并降低驱动损耗。
　　SWB-B72还具备良好的热性能，TO-252封装提供了较大的散热面积，配合PCB上的铜箔散热设计可实现有效的热量传导与散发。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保了在极端环境温度下的可靠运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=45ns），可在同步整流或感性负载续流应用中发挥良好作用，减少反向恢复损耗和电磁干扰（EMI）。此外，该器件通过严格的可靠性测试，具备高抗雪崩能力和长期稳定性，适用于对安全性和耐用性要求较高的工业级应用。

SWB-B72广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、锂电池保护板、电动工具电源模块、LED恒流驱动电源、UPS不间断电源、逆变器、电机控制器以及各类高效率电源管理系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为大功率电源变换器中的理想选择。在电池管理系统（BMS）中，SWB-B72可用于充放电回路的主开关，提供低损耗的通断控制。在电机驱动领域，该器件可用于H桥电路中的功率开关元件，实现对直流电机或步进电机的正反转与调速控制。此外，它也常用于各类家电产品的电源模块，如空调、洗衣机、冰箱等内部的功率控制单元。由于其封装形式为TO-252，便于焊接与维修，因此在中小批量生产及替换维修市场中也具有较高的适用性。

SI7425DN-T1-E3