SW50N06是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的场景。其设计优化了导通电阻和开关速度,适合中低电压应用环境。
SW50N06的主要特点是高击穿电压、低导通电阻以及良好的热稳定性,能够满足多种工业及消费类电子产品的功率控制需求。
漏源极击穿电压:60V
连续漏极电流:50A
栅极阈值电压:2V~4V
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:300W
工作结温范围:-55℃~+175℃
SW50N06具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:支持高达60V的漏源极电压,适用于多种中低压应用场景。
2. 大电流处理能力:连续漏极电流可达50A,峰值电流更高,确保在大负载条件下稳定运行。
3. 低导通电阻:典型值仅为4mΩ,有效降低导通损耗并提升效率。
4. 快速开关性能:具备较低的输入和输出电荷,有助于减少开关时间及开关损耗。
5. 热稳定性强:能够在较宽的温度范围内可靠工作,适应恶劣环境。
6. 小型化封装:采用标准TO-220封装,易于安装且散热性能良好。
7. 高可靠性:经过严格测试,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
SW50N06主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):
- 脉宽调制(PWM)控制器
- DC-DC转换器
2. 电机驱动:
- 无刷直流电机(BLDC)控制器
- 步进电机驱动器
3. 工业自动化:
- 可编程逻辑控制器(PLC)
- 伺服系统
4. 汽车电子:
- 电动车辆控制单元
- 车载充电设备
5. 家用电器:
- 空调压缩机驱动
- 洗衣机变频控制器
此外,它还可以用于光伏逆变器、不间断电源(UPS)和其他需要高效功率管理的场合。
IRF540N
STP55NF06
FDP55N06L