型号：SW50205
　　制造商：华润微电子
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：18A
　　脉冲漏极电流IDM：72A
　　导通电阻RDS(on) typ @ VGS=4.5V：6.8mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS=4.5V：8.5mΩ
　　阈值电压Vth min：1.0V
　　阈值电压Vth typ：1.4V
　　阈值电压Vth max：2.0V
　　输入电容Ciss typ @ VDS=15V, VGS=0V：980pF
　　输出电容Coss typ @ VDS=15V, VGS=0V：380pF
　　反向传输电容Crss typ @ VDS=15V, VGS=0V：90pF
　　总栅极电荷Qg typ @ VDS=15V, ID=9A, VGS=4.5V：11nC
　　开启延迟时间td(on) typ：8ns
　　上升时间tr typ：35ns
　　关断延迟时间td(off) typ：28ns
　　下降时间tf typ：18ns
　　二极管正向电流IF：18A
　　反向恢复时间trr typ：22ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：DFN2020-8L

SW50205采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，在4.5V栅压下RDS(on)典型值仅为6.8mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于高电流密度和高能效要求的应用场景。这种低RDS(on)特性使得器件在大电流工作时发热更少，有助于简化散热设计并提高系统可靠性。同时，该器件的栅极电荷Qg典型值为11nC，输入电容Ciss为980pF，表明其具有较快的开关响应能力，能够在高频开关电源中实现高效切换，减少开关损耗，进一步提升电源转换效率。
　　SW50205的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保在低电压控制信号下也能可靠开启，兼容3.3V或更低逻辑电平驱动电路，适用于现代低功耗控制系统。其反向恢复时间trr典型值为22ns，体二极管具有较快的恢复特性，减少了在同步整流或感性负载切换过程中产生的反向恢复损耗和电压尖峰，提升了系统的电磁兼容性和稳定性。
　　该器件采用DFN2020-8L封装，底部带有裸露焊盘，有利于热量从封装底部传导至PCB，增强了散热能力。相较于传统SOP-8封装，DFN2020-8L体积更小，节省约60%的PCB空间，非常适合高度集成的便携式电子设备。此外，封装材料符合无铅和RoHS标准，支持回流焊工艺，具备良好的机械强度和长期可靠性。器件经过严格的质量控制流程，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和高压应力测试，确保在工业级温度范围内长期稳定运行。

SW50205广泛应用于各类高效率、小体积的电源管理系统中。在同步降压（Buck）转换器中，常作为下管或上下桥臂开关使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，有效降低传导损耗和开关损耗，提升转换效率，尤其适用于多相VRM或大电流DC-DC模块。在升压（Boost）电路中，可作为主开关管，用于LED背光驱动或便携设备中的电压提升功能。
　　在电池供电系统中，如智能手机、平板电脑和移动电源，SW50205常用于电池充放电管理电路中的通路控制或保护开关，实现低损耗的电源路径切换和过流保护功能。其低阈值电压特性也使其适合作为逻辑电平驱动的负载开关，用于控制外设电源的开启与关闭，避免浪涌电流影响主电源稳定性。
　　此外，该器件还可应用于电机驱动、热插拔控制器、USB电源开关、LED驱动电源以及各类嵌入式电源系统。由于其出色的热性能和电气特性，SW50205在需要高功率密度和高可靠性的工业控制、通信设备和消费类电子产品中均表现出色，是现代高效电源设计中的优选功率开关器件。

SI2302DS
　　AO3400A
　　IRLML6344