类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：4A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：约2.5Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-220、DPAK等
　　功率耗散(Pd)：50W（最大值）

SW4N65DC的主要特性包括高耐压能力，使其适用于高电压应用环境，如AC/DC转换器和高边开关电路。其低导通电阻特性能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具备较高的热稳定性和耐用性，可在高温环境下稳定工作。
　　该MOSFET的栅极驱动设计兼容标准逻辑信号，便于与微控制器或驱动IC配合使用。其封装形式通常为TO-220或DPAK，具备良好的散热性能，适合用于需要高可靠性和稳定性的工业和消费类电子产品。
　　SW4N65DC还具有快速开关特性，适用于高频开关应用场景，如DC/DC转换器、同步整流和电机控制电路。它的高耐压和低损耗特性使其成为许多开关电源和功率控制电路的理想选择。

SW4N65DC主要应用于开关电源、AC/DC电源适配器、LED驱动电源、电池充电器、电机驱动电路以及各类工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于负载开关、继电器替代方案和各种高电压、中等电流的功率控制场合。

FQP4N65C, STW4N65K5, 2SK2142, IRF740, 2SK2545