类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
　　额定集电极电流(Ic)：115A
　　短路耐受能力：典型值为10μs@150℃
　　工作温度范围：-40℃至+150℃
　　封装形式：SKiiP? (半密封模块框架)
　　安装方式：螺钉安装
　　隔离电压：2500Vrms/min
　　热阻(Rth(j-c))：0.26K/W

SW115S12HISMF 模块具有多项显著特点。首先，它具备较高的集成度，内部包含了IGBT芯片和快速恢复二极管，这有助于减少外部组件的数量，并提高系统的可靠性。
　　其次，该模块采用Semikron专有的SKiiP?技术，提供出色的电气性能和机械强度，使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定。
　　再者，其低热阻特性（Rth(j-c)=0.26K/W）确保了良好的散热性能，从而延长了器件的使用寿命，并允许更高的功率密度设计。
　　此外，SW115S12HISMF 还具有优异的短路保护能力，能在极端条件下防止损坏，这对安全性要求高的应用非常关键。
　　最后，该模块通过了严格的行业标准认证，包括UL、CSA以及符合RoHS指令，适合在全球范围内使用。

SW115S12HISMF 主要用于需要高效能开关操作的高功率设备中。典型的应用领域包括工业交流驱动器、伺服控制系统、不间断电源(UPS)、焊接机、感应加热装置以及光伏逆变器等可再生能源解决方案。
　　在这些应用中，SW115S12HISMF 提供了高效的能量转换效率，同时减少了电磁干扰(EMI)，提高了整体系统性能。
　　由于其坚固的设计和卓越的热管理能力，该模块也广泛应用于电动交通工具中的主牵引变频器，支持更长的续航里程与更快的充电速度。
　　对于工程师来说，选择 SW115S12HISMF 可以简化电路设计，降低维护成本，并提升产品的市场竞争力。

SKM100GB12T4, FS150R12KT3