类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.065Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

SVT20150U具备多项优异的电气和物理特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，该器件的导通电阻非常低，典型值为0.065Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，SVT20150U的漏源电压额定值为200V，漏极电流可达30A，使其适用于中高功率应用场景，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提高了栅极控制能力，降低了开关损耗，并增强了器件的稳定性。
　　在封装方面，SVT20150U采用TO-252（DPAK）封装形式，这种封装不仅体积小巧，适合在PCB上密集布局，而且具备良好的散热性能，有助于器件在高功率运行时保持稳定的工作温度。该封装还具有较强的机械强度，适用于工业级和汽车电子应用。
　　SVT20150U的栅极阈值电压为2V至4V，这意味着它可以与标准逻辑电平（如5V或3.3V）驱动电路兼容，从而简化了驱动电路的设计。此外，该器件的最大功耗为100W，能够在较高负载下长时间稳定工作。工作温度范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业和汽车环境。

SVT20150U广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和电池充电器中，以实现高效率的能量转换。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在电机驱动器和负载开关电路中也表现出色，能够有效降低功耗并提升系统响应速度。此外，SVT20150U还适用于逆变器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在汽车电子领域，SVT20150U可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电动水泵和风扇控制等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车电子设计中的理想选择。此外，该器件还可用于工业照明系统、智能电表和能源管理系统中，作为高效率的功率开关元件。

SiHF20N200FD, FDPF20N20SM, STP20NM20T, TK20A20W