时间：2025/8/14 23:44:18
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SVT20100U 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优秀的热性能，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及工业自动化等应用领域。SVT20100U 通常封装在TO-247功率封装中，确保了在高电流负载下依然具备良好的散热能力。
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A
最大漏-源极电压（VDS）：100V
最大栅-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大3.2mΩ（典型值更低）
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
技术：沟槽栅极（Trench Gate）技术
符合RoHS标准：是
SVT20100U 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下功率损耗大幅降低，从而提高整体系统的效率。其采用的沟槽栅极技术不仅提升了导通性能，还增强了器件的开关速度，使其适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具备优异的热稳定性，在高电流和高功率环境下依然能保持稳定运行。
另一个显著特点是其高耐压能力，VDS最大可达100V，能够适应多种中高压应用场景。栅极耐压达到±20V，提高了器件在复杂驱动电路中的可靠性。TO-247封装设计有助于快速散热，防止因温度过高而导致的性能下降或器件损坏。
该MOSFET还具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提升动态响应速度。此外，其短路耐受能力较强，适合在需要瞬时高电流的应用中使用。
SVT20100U 广泛应用于各类高功率电子系统中，如大功率DC-DC转换器、工业电机驱动、逆变器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、电动工具和电动汽车充电设备等。由于其优异的导通和开关性能，也常被用于同步整流电路、功率因数校正（PFC）模块以及各类电源供应器中。
在工业自动化控制系统中，该MOSFET可作为高效开关元件，用于控制大功率负载。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，SVT20100U 也常用于实现高效的能量转换。
STP200N10F3AG
STP200N10F3L
IPW90R120C3
SiHF200T10E
