类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大80mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：32W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

SVT15100VB具有多个关键特性，使其适用于多种功率电子应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件支持高达15A的连续漏极电流，适用于中高功率负载应用。此外，其最大漏源电压为100V，适合用于多种中压电源转换系统。SVT15100VB的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极稳定性，同时其TO-220AB封装提供了优良的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，从而减小外围元件的尺寸并提高系统整体效率。此外，SVT15100VB具有高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态电压冲击下的可靠性。
　　在热管理方面，该器件的封装设计有助于快速将热量传导至散热器，确保在高负载工况下的稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适应各种严苛环境条件下的使用需求。这些特性使得SVT15100VB在工业控制、电源模块、电动车系统以及消费类电子产品中具有广泛的应用潜力。

SVT15100VB适用于多种功率电子系统，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电源管理系统、电池充电器、工业自动化设备、LED照明驱动器以及电源适配器等。其低导通电阻和高电流容量使其特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。

IRF150, FDP15N10, STP15NF10