SVT15100U 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率、高频率开关应用而设计,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备等多种应用场景。SVT15100U 采用了先进的技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。其封装形式为DPAK(TO-252),适用于表面贴装,便于在各种PCB布局中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A(在Tc=25°C)
功耗(Ptot):45W
导通电阻(Rds(on)):约40mΩ(最大值,Vgs=10V)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装:DPAK(TO-252)
SVT15100U 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高电源转换效率。其100V的漏源电压额定值使其适用于多种中高功率应用,而15A的连续漏极电流则支持高负载能力。
该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,优化了开关性能,降低了开关损耗,从而在高频开关应用中表现出色。其±20V的栅源电压额定值提供了良好的栅极驱动兼容性,适用于多种控制器和驱动器电路。
此外,SVT15100U 具有良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下保持稳定运行。其DPAK封装不仅提供了优良的散热性能,还简化了PCB布局和组装过程,适合在空间受限的设计中使用。该器件还具备较高的耐用性和可靠性,适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
SVT15100U 主要用于电源管理和功率转换领域,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。它也广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统以及电信设备中。
在DC-DC转换器中,SVT15100U 可用于高侧或低侧开关,实现高效的电压调节和能量转换。在电机控制应用中,它可以作为H桥电路的一部分,提供快速、可靠的开关性能。此外,该MOSFET还可用于电池充电和放电控制,确保电池系统的安全和高效运行。
STP15NK100Z, FDP15N10, IRFZ48N