时间：2025/8/15 2:52:49
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SVT12150UB是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高效能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高电流和高效率的电力电子系统中。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，提供优异的导通电阻（Rds(on)）特性和快速开关性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电系统、工业自动化和电机控制等领域。SVT12150UB的封装形式为TO-220，便于散热，确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏-源电压（Vds）：150V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ（在Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：200W
SVT12150UB具备一系列优异的电气和物理特性，使其成为高性能电源应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件支持高达120A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，SVT12150UB的最高漏-源电压为150V，使其能够承受较高的电压应力，适用于中高压应用。该MOSFET的栅极驱动电压为10V，兼容常见的栅极驱动器电路，简化了设计复杂性。TO-220封装不仅提供了良好的散热能力，还具有较强的机械强度，适合在各种工业环境中使用。该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，确保在极端温度条件下也能稳定运行。此外，SVT12150UB还内置了防静电（ESD）保护功能，提高了器件在制造和使用过程中的可靠性。
SVT12150UB广泛应用于多种电力电子系统，包括DC-DC转换器、电源管理系统、电池充电器、工业自动化设备、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电动车充电系统以及太阳能逆变器等。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
STP120N150UFD, FDP120N150, FQP120N150
