类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：12A（连续）
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.15Ω（最大值0.18Ω）
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

SVT12100V-AU 的核心特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件还具备出色的热稳定性，能够在高温度环境下长时间运行而不会出现性能下降。此外，SVT12100V-AU 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了快速的开关速度和较低的开关损耗，适合高频应用。该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计。
　　在保护特性方面，SVT12100V-AU 具有较高的抗静电能力和过温保护功能，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的功耗，并提高整体系统的能效。其栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路的设计，提高了应用的灵活性。
　　从可靠性角度看，SVT12100V-AU 符合汽车行业和工业应用的严格标准，经过严格测试，确保在恶劣环境下的稳定运行。该器件还具有良好的抗短路能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。

SVT12100V-AU 常用于多种高功率和高频率的应用场景。它广泛应用于电源管理系统，如AC-DC适配器、DC-DC转换器以及负载开关电路。此外，该MOSFET也适用于电机控制和驱动器设计，特别是在电动工具、无人机和机器人等需要高效能功率开关的设备中。在照明系统中，SVT12100V-AU 可用于LED驱动器和高压气体放电灯的控制电路。该器件还常见于工业自动化系统、不间断电源（UPS）和电池管理系统中。由于其优异的热稳定性和高可靠性，SVT12100V-AU 也适合用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。

STP12NK100Z, FDPF12N100, IPW90R120C3