时间：2025/8/14 8:29:00
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SVT12100V T/R是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管，属于STripFET? FDM系列。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，例如DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制电路。SVT12100V T/R采用先进的平面条形工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高电流负载下保持稳定运行。该MOSFET采用TO-220AB封装，便于散热和安装，适合广泛应用于工业和汽车电子系统。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）: 100V
漏极电流（Id）: 12A（最大）
导通电阻（Rds(on)）: 0.28Ω @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）: 27nC
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: TO-220AB
SVT12100V T/R具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场合。此外，该MOSFET具备快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频工作环境。其封装设计优化了散热性能，即使在恶劣的工作条件下也能维持稳定运行。该器件还具备较强的抗过载能力，能够在短时过流或过温条件下保持正常工作，提高系统的整体稳定性与可靠性。
在汽车电子和工业控制领域，SVT12100V T/R的耐用性和稳定性尤为突出。其高耐压特性使其适用于各种高电压输入的电源系统，同时其低Rds(on)特性有助于减少功率损耗，提升整体能效。此外，该MOSFET具备良好的EMI（电磁干扰）抑制能力，有助于降低电路设计中的噪声干扰，提高系统兼容性。
SVT12100V T/R广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、照明控制、汽车电子（如车载充电器、电动助力转向系统）以及工业自动化控制系统。该器件的高效能和高可靠性使其成为各种中高功率电子系统中的关键组件。
STP12NK10Z, STP12NK10ZFP, FDP12N10
