时间：2025/8/15 2:21:58
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SVT10100UB 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高功率开关应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于诸如电源转换、电机驱动、电池充电器以及工业自动化设备等需要高效能功率控制的场景。SVT10100UB 采用 TO-247 封装形式，能够有效散热，适用于大功率工作环境。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A（在 Tc=25°C 下）
导通电阻 Rds(on)：最大 6.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
SVT10100UB 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其 6.5mΩ 的 Rds(on) 值在 10V 栅极驱动电压下表现优异，适合高电流应用。此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达 100V，能够在较高的电压环境下稳定工作。
该 MOSFET 还具有优异的热性能，TO-247 封装提供了良好的散热路径，使器件能够在高负载条件下保持较低的工作温度。这种特性使其适用于连续高功率运行的应用，如 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业电机控制等。
SVT10100UB 采用了先进的功率 MOSFET 技术，具有快速开关能力和低门极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。这种特性对于高频开关应用尤其重要，可以提高转换效率并减少发热。
此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过压和过流冲击，提高了系统的可靠性和耐用性。这对于在恶劣工作条件下运行的设备（如工业控制系统和电动车辆）尤为重要。
SVT10100UB 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效率电源转换的理想选择，例如用于服务器电源、工业自动化设备和太阳能逆变器等。
在电机控制应用中，SVT10100UB 可用于 H 桥电路和 PWM 控制系统，以实现高效、快速的电机调速和方向控制。此外，该器件也可用于电池充电器和储能系统中，作为主开关元件，提供高可靠性和高效能的电能管理方案。
由于其优异的热性能和可靠性，SVT10100UB 也常用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和直流电机驱动电路。其宽工作温度范围和高抗干扰能力使其能够在复杂电磁环境和高温条件下稳定运行。
STP100N10F7-DS、IRFP4468PbF、IPW90R120C3
