类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大10mΩ（典型值可能为8mΩ）
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）

SVM860UB MOSFET的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。低Rds(on)还允许该器件在高电流条件下工作，而不会产生过多的热量。此外，SVM860UB具有较高的电流承载能力和良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　另一个显著特点是其高开关速度，这使得SVM860UB非常适合用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。高速开关能力有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而提高系统的功率密度。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常支持4.5V至20V的栅源电压（Vgs），这使其兼容多种驱动电路，包括低压控制器。此外，SVM860UB具有良好的雪崩击穿耐受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
　　从封装角度来看，SVM860UB采用TO-252或TO-263等表面贴装封装形式，便于自动化生产和散热管理。其封装设计优化了热阻，确保在高功率应用中能够有效散热，延长器件的使用寿命。

SVM860UB广泛应用于各种高功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高电流能力的场合。典型的应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、服务器电源、电信电源设备以及工业自动化控制系统。
　　在同步整流器中，SVM860UB可以替代传统的肖特基二极管，以降低导通压降并提高转换效率。由于其低Rds(on)，在DC-DC转换器中可实现更高的功率密度和更低的损耗。此外，在电机控制和负载开关应用中，SVM860UB的高电流能力和快速开关特性有助于实现精确的电流控制和高效的功率管理。
　　在服务器和通信设备的电源系统中，SVM860UB常用于多相电源架构中的功率级，提供高效率和高可靠性的电源转换。其良好的热性能和封装设计也使其适用于紧凑型电源模块和高密度PCB布局。

SVM860UB的替代型号包括SiS860ADN、IRF1324S、PSMN100-30PL、IPB096N15N5、FDMS86180