型号：SVM7860C6Y
　　类型：N-Channel MOSFET
　　漏源电压VDS：600V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：7A
　　脉冲漏极电流IDM：28A
　　导通电阻RDS(on)：0.85Ω @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：1.2Ω @ VGS=10V（最大值）
　　栅极阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容Coss：190pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间trr：30ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220F

SVM7860C6Y采用了优化的平面栅极结构技术，使其在高压应用中展现出卓越的电气性能和热稳定性。其最大的特点之一是高达600V的漏源击穿电压，能够适应大多数通用开关电源的设计需求，尤其是在离线式反激变换器（Flyback Converter）中作为主开关使用时表现优异。器件的低导通电阻RDS(on)有效降低了导通损耗，提高了系统整体效率，并减少了对散热器尺寸的要求，有助于实现更紧凑的电源设计。
　　该MOSFET具备良好的动态响应能力，输入和输出电容值经过精心设计，确保在高频开关环境下仍能保持稳定的开关行为，减少开关过程中的能量损耗。同时，其较短的反向恢复时间trr意味着体二极管在关断过程中产生的反向电流较小，从而降低因换流引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统EMI性能。
　　在可靠性方面，SVM7860C6Y通过了严格的工业标准测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）以及功率循环测试，保证了长期工作的稳定性。器件内部具有优良的热传导路径，结合TO-220F封装的良好散热能力，可在恶劣环境温度下持续运行。此外，它还具备较强的抗浪涌能力和抗雷击性能，适用于电网波动较大的地区使用的电源产品。
　　值得一提的是，该器件的栅极驱动电压范围宽广（典型10V~20V），兼容常见的PWM控制器输出电平，简化了驱动电路设计。其阈值电压适中，避免了误触发风险，同时支持快速开启与关闭，有利于提高开关频率上限。综合来看，SVM7860C6Y是一款性能均衡、可靠性高的高压功率MOSFET，非常适合用于消费类与工业类电源系统中。

SVM7860C6Y主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，常见于离线式反激变换器（Off-line Flyback Converter）中作为主开关器件，广泛服务于手机充电器、笔记本电脑适配器、LED恒流驱动电源、家用电器内置电源模块等领域。由于其具备600V高耐压能力，特别适用于接入市电（AC 85V~265V）的通用输入电源设计，可有效应对电网电压波动带来的冲击。在DC-DC变换拓扑如正激（Forward Converter）或半桥（Half-Bridge）结构中，该器件也可作为功率开关使用，尤其适合要求高效率和小体积的应用场景。
　　在工业控制领域，SVM7860C6Y可用于小型电机驱动电路、继电器驱动模块以及PLC（可编程逻辑控制器）中的功率输出级，凭借其快速开关响应和低导通损耗，显著提升控制精度和能效水平。此外，在UPS不间断电源、逆变焊机、电子镇流器等设备中，该MOSFET也发挥着关键作用，承担主功率通路的通断控制任务。
　　在新能源相关应用中，例如太阳能微型逆变器或储能系统的辅助电源部分，SVM7860C6Y同样具备适用性，特别是在隔离型DC-AC转换电路的初级侧开关中表现出良好兼容性。其高可靠性和抗干扰能力也使其成为智能电表、物联网网关等需长期稳定运行设备的理想选择。
　　此外，该器件还可用于各类过流保护电路、电子保险丝（eFuse）以及热插拔控制器中，利用其可控导通特性实现负载的软启动与故障隔离功能。总体而言，SVM7860C6Y凭借其高性能参数与成熟工艺，在多种电力电子系统中均展现出广泛的适用性和出色的性价比优势。

KIA7860F
　　APT7860BNLVTG
　　FQPF7860