时间：2025/12/25 17:24:09
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SVM7860C6R是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等功率控制场合。该器件采用先进的沟槽栅工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，能够在较高的电流负载下保持较低的功耗。SVM7860C6R封装形式为SOP-8，适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电路板上实现高密度布局。其设计目标是为低压大电流应用场景提供高效、可靠的解决方案，尤其适合对能效和空间有严格要求的消费类电子产品、工业控制设备及便携式电源系统。
该MOSFET的工作电压范围适中，能够承受一定的瞬态过压，并具备较强的抗雪崩能力，提升了系统的鲁棒性。同时，产品符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品的绿色制造要求。由于其优异的电气性能与成本优势，SVM7860C6R已成为许多中低端功率应用中的主流选择之一。
型号：SVM7860C6R
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压Vds：60V
连续漏极电流Id（@25°C）：12A
脉冲漏极电流Idm：48A
栅源电压Vgs：±20V
导通电阻Rds(on)（max）：6.0mΩ @ Vgs=10V
导通电阻Rds(on)（typ）：4.5mΩ @ Vgs=10V
阈值电压Vgs(th)：2.0V ~ 3.0V
输入电容Ciss：2200pF @ Vds=30V
输出电容Coss：600pF @ Vds=30V
反向传输电容Crss：100pF @ Vds=30V
栅极电荷Qg（typ）：35nC @ Vds=48V, Id=12A
开启延迟时间Td(on)：15ns
关断延迟时间Td(off)：25ns
工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
封装：SOP-8
SVM7860C6R采用高性能沟槽栅结构设计，显著降低了导通状态下的电阻损耗，从而提高了整体效率并减少了散热需求。其典型的导通电阻仅为4.5mΩ，在10V栅压条件下可支持高达12A的连续漏极电流，特别适用于大电流开关应用，如同步整流、电池管理系统和H桥驱动电路。这种低Rds(on)特性不仅有助于降低温升，还能延长系统寿命并提升能源利用率。
器件具备良好的动态性能，输入电容Ciss为2200pF，反向传输电容Crss仅为100pF，使得其在高频开关环境中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高转换效率。此外，较低的栅极电荷Qg（典型值35nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于简化驱动设计并降低控制器负担，特别适合搭配PWM控制器或专用驱动IC使用。
SVM7860C6R具有稳定的热性能和可靠的长期工作能力，最大结温可达150°C，可在恶劣环境下稳定运行。内置的体二极管具备较快的恢复速度，适用于需要续流功能的应用场景。该器件还具备一定的抗雪崩能力，增强了在电压突变或感性负载切换时的安全性。SOP-8封装不仅节省空间，而且引脚排列合理，易于PCB布线与散热管理，适合自动化生产流程。
通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压烘烤（HAST）和温度循环试验，确保了产品在各种工况下的稳定性与一致性。作为国产化替代的重要选项，SVM7860C6R在性价比方面具有明显优势，广泛用于电源适配器、电动工具、LED驱动电源、家用电器控制板等领域，助力终端厂商降低成本的同时维持高性能表现。
主要用于DC-DC转换器、同步整流电源、电机驱动模块、电池保护电路、开关电源次级侧整流、LED恒流驱动、电动自行车控制器、电源管理单元（PMU）、工业自动化控制板、消费类电子产品电源模块等
SI7860BDP-T1-E3,SMP7860C6R
