时间：2025/8/15 4:00:27
阅读：4
SVM1560VB T/R 是一款由 Sanken（三健电机）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和快速的开关性能。T/R 后缀表示该器件以卷带包装形式提供，适合自动化贴片生产。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID): 60A
最大漏-源电压 (VDS): 60V
最大栅-源电压 (VGS): ±20V
导通电阻 (RDS(on)): 0.018Ω（典型值）
功耗 (PD): 100W
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
封装类型: TO-252（DPAK）
安装类型: 表面贴装
SVM1560VB T/R 具有低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。由于采用了先进的沟槽式结构，该器件在高频率下仍能保持良好的性能，从而减少了开关损耗。
此外，SVM1560VB T/R 提供了较高的电流承载能力，使其适用于大功率应用。其坚固的封装设计确保了良好的热管理和可靠性，即使在高温环境下也能稳定运行。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，进一步提升了其在严苛工作条件下的耐用性。栅极驱动电压范围宽，兼容标准的 10V 驱动电路，方便与各种控制器配合使用。
TO-252（DPAK）封装提供了良好的热传导性能，使得该器件能够在高功率密度应用中保持较低的工作温度，从而延长了使用寿命。
SVM1560VB T/R 主要用于需要高效能功率转换的场合，例如同步整流器、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制器以及负载开关等。其高电流能力和低导通电阻使其成为汽车电子系统、工业电源设备和通信基础设施中的理想选择。
在汽车应用中，该器件可用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等。在工业领域，SVM1560VB T/R 可用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等设备中。
由于其快速的开关性能和高效率，它也常用于高频开关电源和 LED 照明驱动电路中。此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑和游戏机的电源管理单元中也有广泛应用。
IRF1405, Si4410BDY, FDS6680, AUIRF1405S
