SVM1060UB 时间：2025/8/15 1:13:56 阅读：10

SVM1060UB是一款由Sanken（三健）公司生产的高集成度、高性能MOSFET功率开关器件，广泛应用于电源转换、DC-DC变换器、电机控制、负载开关等功率电子系统中。该器件采用先进的功率MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压、高电流容量等优势，适用于需要高效能与紧凑设计的电源管理应用。SVM1060UB采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和电气性能，适用于工业控制、汽车电子、消费类电源等场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：10A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.38Ω（典型值为0.28Ω）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SVM1060UB具备多项优异的电气和物理特性，适用于多种功率应用环境。首先，其60V的漏源电压额定值使其能够承受较高的电压应力，适用于各种中低功率电源转换器。其次，10A的连续漏极电流能力确保该器件在较高负载条件下仍能稳定工作。其导通电阻（Rds(on)）较低，通常在0.28Ω左右，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，SVM1060UB采用TO-252封装，具备良好的热传导性能，可在较高温度环境下稳定运行。其封装结构也便于安装在PCB上，适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率和系统可靠性。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力和兼容性，可适配多种驱动电路设计。
　　在安全性和可靠性方面，SVM1060UB具有良好的短路耐受能力和过热保护特性，适用于负载突变、频繁开关等严苛应用场景。其工作温度范围从-55°C至+150°C，适应性强，可在多种环境条件下稳定运行。

应用

SVM1060UB广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等；
　　2. 工业控制：如电机驱动、继电器替代、自动化系统电源管理等；
　　3. 汽车电子：如车载充电系统、电动工具、车灯控制等；
　　4. 消费电子产品：如笔记本电脑电源、移动电源、智能家电等；
　　5. 通信设备：如基站电源、光模块电源等低功耗高效率需求的场合。