型号：SVF5N60CF
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID，连续）：5A
　　漏极电流（IDM，脉冲）：20A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤7.5Ω（@ VGS=10V, ID=2.5A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V（@ ID=250μA）
　　输入电容（Ciss）：800pF（@ VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：180pF（@ VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz）
　　反向传输电容（Crss）：30pF（@ VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz）
　　栅极电荷（Qg）：24nC（@ VDS=480V, ID=2.4A, VGS=10V）
　　上升时间（tr）：45ns
　　下降时间（tf）：65ns
　　体二极管反向恢复时间（trr）：500ns
　　最大工作结温（Tj）：150℃
　　封装形式：TO-220F

SVF5N60CF采用了士兰微电子成熟的高压MOSFET工艺平台，具备出色的电气性能和热稳定性。其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可控制在7.5欧姆以下，这有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体转换效率。尤其在中等功率开关电源设计中，这一特性有助于减少散热需求，简化热管理设计，进而降低整机成本。
　　另一个关键特性是其优化的开关性能。SVF5N60CF的输入电容和反向传输电容（Crss）被控制在合理范围内，使得在高频开关应用中能够减少驱动损耗和米勒效应引起的误触发风险。栅极电荷Qg仅为24nC左右，意味着驱动电路所需的能量较小，适用于采用PWM控制器直接驱动的场景，有利于提升系统响应速度和动态调节能力。
　　该器件还具备良好的安全工作区（SOA），能够在瞬态过载或短路情况下承受一定时间的应力而不损坏。结合其150℃的最大结温能力，SVF5N60CF可在高温环境下长期稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。
　　此外，SVF5N60CF内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然未特别针对快速恢复进行优化，但在大多数反激式电源拓扑中仍能满足基本需求。对于需要更高效率的应用，建议外接快恢复或肖特基二极管以进一步改善性能。
　　最后，该MOSFET通过了多项国际标准的安全认证，符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造趋势。其TO-220F封装提供了良好的电气隔离性能，便于安装在散热片上，提升了长期运行的可靠性。

SVF5N60CF主要应用于各类中低功率开关模式电源系统中，特别是在需要高电压耐压能力和较高效率的场合表现优异。典型应用包括手机、笔记本电脑、平板电脑等消费类电子设备的AC-DC适配器和充电器电源模块，在这些应用中，SVF5N60CF作为主开关管使用，负责将交流输入整流后的高压直流电进行高频斩波，配合变压器完成电压变换和能量传递。
　　此外，该器件也广泛用于LED照明驱动电源，尤其是离线式恒流驱动方案中。由于LED灯具对电源效率、体积和寿命有较高要求，SVF5N60CF凭借其低导通损耗和稳定的开关特性，能够帮助实现高PF值、低THD的设计目标，同时保证长时间工作的可靠性。
　　在小型家用电器领域，如空气净化器、加湿器、电风扇、咖啡机等配备开关电源板的产品中，SVF5N60CF常被用作主控开关元件，支撑整个供电系统的稳定运行。其600V耐压能力足以应对全球范围内的交流电网波动（90VAC~265VAC），无需额外降额即可满足安规要求。
　　工业控制设备中的辅助电源模块也是SVF5N60CF的重要应用场景之一。这类电源通常要求宽输入电压范围、高隔离度和长寿命，而该MOSFET的高可靠性和良好的热性能恰好契合这些需求。
　　除此之外，SVF5N60CF还可用于DC-DC变换器中的高压侧开关、逆变器前级升压电路以及太阳能微型逆变器等新兴领域，展现出较强的通用性和扩展潜力。随着节能环保法规日益严格，高效能功率器件的需求持续增长，SVF5N60CF将在更多节能产品中发挥重要作用。

FQA5N60C, KF5N60, STP5NK60ZFP, 2SK2649