时间：2025/5/7 15:18:50
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SVF4N65CAMJ是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足高性能功率转换需求。
这款MOSFET的额定电压为650V，适用于高压应用环境，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而提高了效率并降低了开关损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4A
导通电阻（典型值）：1.2Ω
栅极电荷：29nC
总电容：300pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗。
3. 快速开关特性，有助于提高系统效率。
4. 出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 小尺寸封装，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
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IRF840, STP4NK65Z, FDP016N65
