SVF2N60M 时间：2025/5/7 16:33:36 阅读：11

SVF2N60M是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，具有高耐压、低导通电阻的特点，适合用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场合。
　　这款MOSFET以其出色的电气特性和可靠性在工业控制、消费电子和汽车电子领域中广泛应用。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：1.8A
　　导通电阻（典型值）：3.5Ω
　　栅极电荷：15nC
　　总功耗：75W
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

SVF2N60M的突出特点是其高压操作能力，可承受高达600V的漏源电压，同时保持较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。此外，它还具有快速开关速度和低栅极电荷，这使得它可以有效地用于高频开关应用。
　　该器件的工作温度范围广泛，从-55℃到+150℃，确保了其在极端环境下的稳定性。此外，其紧凑的TO-220封装使其易于安装和散热设计。
　　在动态性能方面，SVF2N60M提供了良好的dv/dt耐受能力，有助于防止误触发并提升系统的可靠性。其低反向恢复电荷（Qrr）特性也使其非常适合硬开关和软开关应用。

应用

SVF2N60M主要应用于需要高电压、低功耗解决方案的场合，如开关电源中的主开关管、DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动电路中的功率级开关以及电池保护电路中的负载开关等。
　　在工业控制领域，该MOSFET可以用于实现过流保护、逆变器驱动等功能；在汽车电子领域，它可以作为车载电子系统中的功率开关组件，比如用于电动车窗、座椅调节等应用。此外，它也可以用作固态继电器的替代品，提供更高效和可靠的开关性能。