型号：SVD7N65F
　　品牌：Silan（士兰微电子）
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：650V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　最大耗散功率（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on) max）：1.2Ω @ VGS=10V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：330pF @ VDS=25V
　　反向传输电容（Crss）：60pF @ VDS=25V
　　栅极电荷（Qg）：45nC @ VGS=10V
　　体二极管反向恢复时间（trr）：300ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F/TO-220FP

SVD7N65F具备优异的电气特性和结构设计，使其在中高功率开关应用中表现出色。其650V的高击穿电压能够满足大多数离线式开关电源的设计需求，尤其是在全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下工作的反激式或准谐振变换器中，具备足够的电压裕量以应对瞬态过压和电压尖峰，从而提升系统的可靠性和安全性。该器件的1.2Ω低导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，有助于实现更高的能效标准，如能源之星或DoE VI级能效规范。同时，较低的RDS(on)意味着在相同负载条件下产生的热量更少，可减少散热器尺寸，降低系统成本。
　　该MOSFET采用平面栅极VDMOS工艺制造，确保了良好的生产一致性和器件稳定性。其栅极电荷（Qg）仅为45nC，属于中等偏低水平，这使得驱动电路所需提供的驱动能量较小，有利于降低驱动芯片的功耗并简化驱动设计。输入电容、输出电容和反向传输电容的参数经过优化，有助于减少开关过程中的振荡和电磁干扰（EMI），提升系统EMI性能。此外，SVD7N65F内置的快速恢复体二极管具有300ns的反向恢复时间，可在同步整流或续流路径中提供较好的性能表现，避免因反向恢复电荷过大引起的额外损耗和电压振铃问题。
　　TO-220F封装形式带有绝缘片安装孔，支持将器件直接固定在散热器上并实现电气隔离，适用于需要加强绝缘等级的安全设计，例如医疗设备或工业电源。其高达50W的最大功耗能力结合良好的热阻特性，使其在自然对流或强制风冷条件下均能保持稳定的结温。SVD7N65F还具备优良的抗雪崩能力，能够在短时过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。综上所述，该器件在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中高端电源应用的理想选择之一。

SVD7N65F广泛应用于各类中高功率开关电源系统中。典型应用场景包括：交流-直流（AC-DC）开关电源，尤其是用于笔记本电脑适配器、LCD显示器电源、打印机电源等消费类电子产品；LED恒流驱动电源，特别适用于户外照明、路灯、工矿灯等需要高效率和长寿命的LED照明系统；工业用DC-DC转换器模块，作为主开关管参与能量传递和电压调节；逆变器和UPS不间断电源中的功率开关单元；家电类产品的电机控制电路，如空调压缩机驱动或洗衣机变频模块中的辅助电源部分；此外，还可用于电池充电器、电动工具电源、小型逆变焊机等需要高效能功率开关的场合。由于其具备良好的高温工作性能和抗干扰能力，也适用于环境温度较高或电网波动较大的地区使用。在设计上，该器件常用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）、半桥（Half-Bridge）及准谐振（QR）拓扑结构中，配合PWM控制器实现精确的电压和电流控制。其高耐压和低导通损耗特性使其在轻载和满载条件下均能维持较高效率，满足现代节能产品的需求。

KSD7N65F
　　APD7N65E
　　STP7NK65ZFP
　　FQA7N65FS