SVD7N60 时间：2025/4/30 10:37:35 阅读：28

SVD7N60是一款N沟道垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（N-Channel VDMOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用TO-220封装，具有高耐压、低导通电阻和快速开关的特点，适用于多种高频开关应用。SVD7N60的设计使其能够在高温环境下稳定工作，并提供优异的电气性能。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：7A
　　栅源电压：±20V
　　导通电阻（典型值）：2.8Ω
　　总功耗：135W
　　结温范围：-55℃至+150℃
　　开关时间：ton=38ns，toff=45ns

特性

SVD7N60具有以下显著特性：
　　1. 高击穿电压：额定600V，确保在高压环境下的可靠性。
　　2. 低导通电阻：典型值为2.8Ω，在高频开关应用中减少功率损耗。
　　3. 快速开关速度：其短开关时间（ton=38ns，toff=45ns）能够支持高频电路设计。
　　4. 高电流能力：支持7A的连续漏极电流，适应大功率负载。
　　5. 宽工作温度范围：从-55℃到+150℃，适合工业及恶劣环境应用。
　　6. 稳定性强：即使在高温或高湿度条件下也能保持稳定的电气性能。
　　7. 封装形式：采用标准TO-220封装，易于安装和散热。

应用

SVD7N60主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC转换器中的主开关管。
　　2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制。
　　3. 逆变器：在光伏逆变器和其他电力电子变换器中作为关键元件。
　　4. 功率因数校正（PFC）电路：提升输入功率因数并降低谐波失真。
　　5. 其他高压高频应用：例如电磁炉、LED驱动器等需要高效能功率开关的场景。