型号：SVD2N60
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：2A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.0Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：110pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：约75ns
　　最大功耗（PD）：50W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

SVD2N60具备出色的电气特性和可靠性，其核心优势之一在于高耐压能力，最大漏源击穿电压达到600V，使其能够在高压环境下安全运行，适用于离线式开关电源等直接连接市电的应用场景。这一特性不仅提高了系统的安全性，也减少了对外部过压保护电路的依赖，从而简化了整体设计复杂度。此外，器件的导通电阻被优化至3.0欧姆以下，在同类产品中处于较为领先的水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现更为突出。
　　该MOSFET采用了先进的平面技术制造，确保了批次间的一致性和长期使用的稳定性。其较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于降低驱动芯片的负担，并支持更高的开关频率操作，适用于现代高频化电源设计趋势。同时，输出电容（Coss）较小，进一步减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体能效。这对于追求小型化、高效率的电源适配器、LED驱动电源等产品尤为重要。
　　另一个关键特性是其内置的快速恢复体二极管，具备较短的反向恢复时间（trr ≈ 75ns），有效抑制了在关断过程中因反向电流引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统工作的稳定性和电磁兼容性。该特性特别适用于存在感性负载或需要续流路径的电路拓扑，例如反激式变换器（Flyback Converter）或半桥电路。此外，SVD2N60具有良好的热稳定性，最大功耗可达50W（在理想散热条件下），并支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），适应各种严苛环境下的长期运行需求。
　　从封装角度来看，TO-220封装提供了优良的散热路径，便于安装散热片以增强热管理效果。该封装形式成熟可靠，广泛应用于各类工业和消费电子产品中，具备良好的可维护性和替换便利性。整体而言，SVD2N60在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中高压开关应用的主流功率MOSFET器件。

SVD2N60主要应用于各类中高电压开关电源系统中，尤其是在交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换器中发挥着核心作用。常见用途包括手机充电器、笔记本电脑适配器、电视机和显示器电源模块等消费类电子产品的内置电源单元。由于其600V的高耐压特性，可以直接用于整流后的市电输入端，无需额外的降压预处理，简化了前端电路设计。
　　在LED照明领域，SVD2N60常被用作恒流驱动电路中的主控开关元件，特别是在隔离式反激拓扑结构中，负责实现能量传递与电压调节功能。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升驱动效率，降低发热，延长灯具使用寿命。此外，在电子镇流器、节能灯和智能照明控制系统中也有广泛应用。
　　工业控制方面，SVD2N60可用于电机驱动电路、继电器驱动模块、逆变器以及不间断电源（UPS）等设备中，承担功率切换任务。其稳定的性能和较强的抗干扰能力，使其能在复杂电磁环境中保持可靠运行。同时，该器件也适用于太阳能微型逆变器、电池管理系统（BMS）中的充放电控制单元等新能源相关应用。
　　由于其标准化封装和通用性，SVD2N60还常用于教学实验平台、电源开发板和原型验证系统中，作为学习和测试功率电子技术的理想器件。无论是批量生产还是小规模研发，SVD2N60都能提供一致的性能表现，满足多样化的工程需求。

KIA2N60, STP2N60, FQP2N60, 2N60, KFE2N60