类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：13A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω（最大值0.55Ω）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK等

SVD13N50F FDPF13N50 MOSFET具有多项关键特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其500V的高漏源电压能力使其适用于高电压应用，如电源供应器和逆变器。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，最大值为0.55Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有13A的连续漏极电流能力，适用于中高功率应用。
　　该器件还具备良好的热性能，封装设计有助于有效的散热，从而提高器件的可靠性和寿命。SVD13N50F FDPF13N50采用先进的硅工艺技术，确保了在高电压和高电流条件下的稳定运行。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持±30V，使其与多种驱动电路兼容。这使得该器件在各种应用中具有更高的灵活性。SVD13N50F FDPF13N50的封装形式包括TO-220和D2PAK，便于安装和散热，适用于不同的PCB布局需求。

SVD13N50F FDPF13N50 MOSFET广泛应用于多个功率电子领域。在电源供应器中，该器件可用于高效AC-DC转换，提供稳定的直流输出。其高电压和高电流能力使其适用于服务器电源、工业电源和消费类电子产品中的电源模块。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，可以有效降低能量损耗，提高转换效率。
　　该器件还可用于马达控制电路，如电动工具、电动车和工业自动化设备中的马达驱动系统。其高电流能力确保了马达在高负载条件下的稳定运行，同时具备良好的热性能，防止过热损坏。
　　此外，SVD13N50F FDPF13N50也可用于逆变器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统，提供可靠的功率开关功能。其封装设计便于安装和散热，适用于高功率密度的设计需求。

FDP13N50, FQA13N50, IRFBC40, STF12N50