时间：2025/7/9 1:25:05
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SV2220N680G0A 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换、电机驱动和开关电源等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少功率损耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其额定电压为 680V，适用于需要高压操作的应用场景。通过优化的芯片设计和封装技术，SV2220N680G0A 在高温环境下也能保持稳定的工作性能。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：22A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高击穿电压：额定电压高达 680V，确保在高压环境下可靠运行。
2. 低导通电阻：仅为 0.15Ω，在高电流条件下显著降低功率损耗。
3. 快速开关能力：具备低栅极电荷和快速开关特性，适合高频应用。
4. 热稳定性：优化的热设计使其能够在极端温度范围内保持高效工作。
5. 小型化封装：采用紧凑封装形式，有助于节省电路板空间。
6. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保长期使用的稳定性和耐用性。
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