时间：2025/7/10 17:50:14
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SV1210N180G0A 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻和高效率的特点，能够在高频工作条件下提供优异的性能表现。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计优化了动态特性和静态特性之间的平衡，使其适合于需要快速开关和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：12A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：1490pF
总电荷：85nC
开关时间：ton=15ns, toff=30ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高电压耐受能力（180V）确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（5.5mΩ），有效减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频应用场合。
4. 先进的封装技术，增强了散热性能和机械可靠性。
5. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适用于各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
3. 电机驱动控制，包括无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
SV1210N180G0B, IRF180PBF, FDP18N18S
