时间：2025/6/21 21:21:36
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SUU50N06-07L是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-277A封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的雪崩能力等特性，适用于多种电源管理应用场合。其额定电压为60V，最大连续漏极电流可达50A，工作温度范围为-55℃至175℃。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：50A
最大脉冲漏极电流：100A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：49nC
反向恢复时间：12ns
结温范围：-55℃至175℃
SUU50N06-07L具备非常低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提升效率。同时，它还具有快速的开关速度，可满足高频开关电路的需求。
此外，这款MOSFET拥有较强的雪崩击穿能力和热稳定性，确保在恶劣环境下也能稳定工作。
其TO-277A封装设计不仅散热性能优越，还能简化PCB布局过程。
该器件广泛应用于直流电机驱动、开关电源、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化控制等领域。特别是在需要大电流输出和高效能转换的场景中表现优异。例如，在电动车窗控制系统中，SUU50N06-07L可以作为主开关元件来实现对电机的有效控制；在太阳能逆变器中，则可用于功率级转换以提高能源利用率。
STP50NF06L
IRFZ44N
FDP5020N
IXFN50N06P
