SURS8360T3G 时间：2025/6/14 8:45:43 阅读：2

SURS8360T3G 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TrenchFET 第三代技术。该器件专为高效能开关应用设计，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
　　这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，支持逻辑电平驱动，便于与微控制器或其他数字电路接口。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，适合表面贴装工艺，同时具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：51A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　栅极电荷：47nC
　　输入电容：1620pF
　　典型阈值电压：1.7V
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃

特性

SURS8360T3G 的主要特点是超低导通电阻和高效率。它的 RDS(on) 值仅为 1.5mΩ（在 VGS=10V 条件下），显著降低了传导损耗，从而提升了系统整体效率。
　　此外，该器件具有快速开关能力，栅极电荷较小（47nC），能够减少开关损耗，非常适合高频应用。
　　TrenchFET 第三代技术优化了芯片结构，进一步增强了性能并减少了寄生参数影响。同时，其逻辑电平驱动设计简化了控制电路设计，降低了系统复杂度。
　　TO-263 封装提供较大的散热面积，确保器件在高功率条件下也能稳定运行。

应用

SURS8360T3G 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
　　- 开关电源（SMPS）
　　- DC-DC 转换器
　　- 电动工具及家用电器中的电机驱动
　　- 工业自动化设备中的负载开关
　　- 新能源汽车中的辅助电路
　　- 大功率 LED 驱动器
　　由于其优异的性能，SURS8360T3G 成为许多高效率、高密度功率转换解决方案的理想选择。