类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：15V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　电流增益带宽（fT）：250MHz
　　直流电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）

SURS5658T3 是一款高性能 NPN 晶体管，具有优异的高频响应能力，适用于射频和高速开关电路。其过渡频率（fT）达到 250MHz，确保在高频环境下仍能保持良好的放大性能。此外，该晶体管的直流电流增益（hFE）范围较宽，通常在 110 到 800 之间，具体数值取决于测试条件，这使得它在不同应用场景中具有较高的灵活性。SURS5658T3 采用 SOT-23 小型封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率和降低成本。
　　该晶体管的最大集电极-发射极电压为 15V，最大集电极电流为 100mA，适用于中低功率的放大和开关电路。其最大功耗为 300mW，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行（-55°C 至 150°C），适用于工业级和汽车电子应用。此外，SURS5658T3 的封装符合 RoHS 环保标准，符合现代电子产品对环保材料的要求。

SURS5658T3 主要应用于射频（RF）放大器、高频开关电路、音频放大器、电压调节器和数字逻辑电路。由于其高频特性和良好的电流增益性能，该晶体管常用于无线通信设备中的信号放大和调制解调电路。在工业控制领域，SURS5658T3 可用于传感器信号放大、继电器驱动和小型电机控制。此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品，如便携式音频设备、LED 驱动电路和电源管理系统。

2N3904, BC547, 2N4401