SURA8120T3G 时间：2025/5/8 18:09:35 阅读：2

SURA8120T3G是一款基于硅技术的高性能功率MOSFET，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的沟槽式结构设计，能够显著降低导通电阻，同时具备良好的开关特性和热性能。其封装形式为TO-220，具有较高的电流承载能力和散热能力。
　　这款MOSFET的最大特点是低导通电阻和快速开关速度，能够在高频工作条件下保持高效的功率转换。此外，它还具备反向恢复电荷小的特点，适合于对效率要求较高的应用场景。

参数

最大漏源电压：80V
　　最大连续漏极电流：120A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　反向恢复时间：45ns
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

SURA8120T3G采用了先进的制造工艺和技术，具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，支持高频应用，从而可以减小无源元件的体积和重量。
　　3. 高电流处理能力，使其适用于大功率场景。
　　4. 优异的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
　　5. 封装兼容性良好，便于集成到现有的电路设计中。
　　6. 具备较强的抗雪崩能力，增强了器件的可靠性。

应用

SURA8120T3G广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS），用于计算机、通信设备和其他电子产品的供电。
　　2. DC-DC转换器，适用于汽车电子、工业自动化等需要高效电压转换的场合。
　　3. 电机驱动，特别适合于电动工具、家用电器和工业电机控制。
　　4. 能量回收系统，例如太阳能逆变器中的功率调节模块。
　　5. 电池管理系统（BMS），用于保护和管理锂电池组或其他类型的储能装置。