SUP90N06-05L是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用TO-277A封装,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。它广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
这款MOSFET的耐压等级为60V,能够承受一定的瞬态电压冲击,并且具备快速开关特性,有助于提高效率并减少功率损耗。其低导通电阻设计使得在高电流应用中能够保持较低的功耗和温升。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
导通电阻(Rds(on)):4.8mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:37nC(典型值)
输入电容:1600pF(典型值)
总功耗:180W
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 低导通电阻(Rds(on)),可降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 高电流承载能力,支持大功率设计。
4. 紧凑型TO-277A封装,便于散热管理。
5. 宽工作温度范围,适应恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关及保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率切换模块。
STP90NE06,
IRFZ44N,
FDP90N06L