时间：2025/5/7 13:39:32
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SUP85N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。这款器件以其低导通电阻和高电流能力著称，适用于多种功率转换和控制应用。该芯片采用了TO-220封装形式，能够提供出色的散热性能。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：85A
导通电阻：2.4mΩ
总功耗：160W
结温范围：-55℃至175℃
SUP85N10具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流应用场景下的高效运行。
2. 高击穿电压允许其在较高电压条件下稳定工作。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 内置反向二极管，有助于提高电路可靠性。
5. 良好的热稳定性使其能够在极端温度范围内可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得SUP85N10成为高效率功率转换的理想选择。
该MOSFET主要应用于以下几个领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 工业电机驱动及控制。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电动车充电设备中的功率管理。
5. 各类DC/DC转换器。
SUP85N10凭借其卓越的性能，在上述应用中表现出色，能够满足高功率密度和高效能的需求。
IRF840, STP85N10
