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SUM55P06-19L-E3 发布时间 时间:2022/10/12 11:31:52 查看 阅读:960

    VISHAY  SUM55P06-19L-E3  场效应管, MOSFET, P通道, -60V, 0.015Ω, -55A

    The SUM55P06-19L-E3 is a -60V P-channel TrenchFET? Power MOSFET.


目录

概述

    VISHAY  SUM55P06-19L-E3  场效应管, MOSFET, P通道, -60V, 0.015Ω, -55A

    The SUM55P06-19L-E3 is a -60V P-channel TrenchFET? Power MOSFET.


参数

    额定功率:3.75 W

    针脚数:3

    漏源极电阻:0.015 Ω

    极性:P-Channel

    耗散功率:125 W

    漏源极电压(Vds):-60.0 V

    连续漏极电流(Ids):-5.50 A

    上升时间:15 ns

    输入电容(Ciss):3500pF @25V(Vds)

    下降时间;230 ns

    工作温度(Max):175 ℃

    工作温度(Min):-55 ℃

    耗散功率(Max):3.75 W

    安装方式:Surface Mount

    引脚数:3

    长度:10.41 mm

    宽度:9.65 mm

    高度:4.83 mm

    封装:TO-263-3

    工作温度:-55℃ ~ 175℃


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SUM55P06-19L-E3参数

  • 数据列表SUM55P06-19L
  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C55A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs115nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3500pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.75W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263(D2Pak)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SUM55P06-19L-E3-NDSUM55P06-19L-E3TR