类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤3.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　漏极电容(Coss)：约1000pF
　　栅极电荷(Qg)：约80nC

Sum5223MS具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了载流子分布，提升了导电能力。同时，它具备良好的热稳定性和较高的电流承受能力，能够在高负载条件下稳定运行。
　　此外，Sum5223MS的封装设计具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持较低的结温，从而延长器件的使用寿命。其高栅极耐压能力（±20V）提供了更宽的安全操作范围，适用于各种PWM控制和高频开关应用。
　　该MOSFET还具有较强的抗过载和短路能力，在突发故障条件下能够提供一定程度的自我保护。其结构设计优化了电磁干扰（EMI），有助于降低系统噪声，提高电源转换的稳定性。

Sum5223MS常用于各种高功率密度和高效率要求的电源系统中，例如同步整流型DC-DC转换器、多相电源、服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备以及电动工具和电池管理系统等。此外，它也适用于需要高电流输出和低导通损耗的电机驱动电路、LED照明驱动器以及汽车电子系统中，如车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，Sum5223MS特别适合在空间受限、散热条件有限的环境中使用。其出色的导通特性和高电流能力使其成为许多高效率电源设计的首选器件。

SiS828CHL, AON6260, FDD8882, IPW90R120I-ATMA1