时间：2025/6/10 17:00:48
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SUM40N05-19L 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并降低功耗。
它采用小型化封装设计，便于在紧凑型电路板上使用，同时具备较高的电流承载能力和耐压性能，适用于多种工业及消费类电子产品。
型号：SUM40N05-19L
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：9.8A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：33W
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
栅极电荷(Qg)：15nC
输入电容(Ciss)：750pF
反向恢复时间(trr)：<5μs
SUM40N05-19L 具有以下显著特性：
1. 高效的导通性能，低导通电阻（Rds(on)）确保了较低的传导损耗，从而提高了系统的整体效率。
2. 快速开关速度，栅极电荷小，能够适应高频开关应用需求。
3. 较高的漏源击穿电压（Vds），保证了其在高电压环境下的稳定运行。
4. 小型化封装，节省了PCB空间，适合现代电子设备的小型化趋势。
5. 宽泛的工作温度范围，能够在恶劣环境下保持可靠的性能。
6. 内置寄生二极管，有助于简化电路设计并减少元件数量。
SUM40N05-19L 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器或功率级开关。
2. 直流/直流转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电机驱动电路中的功率开关，用于控制电机启动、停止及调速。
4. 负载开关，保护后端负载免受过流或短路的影响。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制开关。
6. 各种消费类电子产品的电源管理模块，例如笔记本电脑适配器、LED驱动器等。
SUM40N05-19LH, IRFZ44N, FDP17N10
