型号：SUM2035GAS2
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：DFN2035-6
　　通道数：单通道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.4V
　　栅极电荷（Qg）：6.7nC（@ VGS = -4.5V）
　　输入电容（Ciss）：420pF（@ VDS = -10V）
　　反向恢复时间（trr）：未内置体二极管快速恢复
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大结温（Tj）：+150°C
　　功率耗散（PD）：1.5W（@ TA = 25°C，PCB板安装）

SUM2035GAS2采用了Vishay先进的TrenchFET技术，这种技术通过优化硅基结构中的沟道设计，显著降低了导通电阻和寄生电容，从而提升了整体能效和开关速度。其低RDS(on)特性意味着在导通状态下功耗更小，有助于延长电池供电设备的工作时间并减少散热需求。该器件在-4.5V和-2.5V的栅极驱动电压下均能保持优异的导通性能，尤其适合使用3.3V或更低逻辑电平的微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　DFN2035-6封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，底部有暴露焊盘，可通过PCB上的接地层有效散热，提高功率密度。这种封装也减少了引线电感，有利于高频开关操作下的电磁兼容性表现。SUM2035GAS2的低栅极电荷（Qg）进一步降低了驱动损耗，使得它在高频PWM调制应用中依然保持高效。
　　该MOSFET的体二极管具有较低的正向压降和可接受的反向恢复特性，适用于需要反向电流路径的拓扑结构，如H桥或同步整流。尽管不是专门针对超快恢复优化，但在大多数中低频开关场景中仍能满足要求。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保在严苛环境下长期稳定运行。
　　由于通过AEC-Q101认证，SUM2035GAS2可用于汽车电子中的非动力总成系统，例如车载信息娱乐电源管理、传感器模块供电控制等。同时，其无铅、无卤素的设计符合环保法规要求，支持绿色制造流程。总体而言，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代小型化电子产品中理想的功率开关解决方案。

SUM2035GAS2广泛应用于对空间和能效要求较高的电子系统中。典型用途包括便携式设备中的电源开关和负载切换，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能管理。在电池管理系统（BMS）中，它可用于过放电保护电路或充放电路径控制，利用其低导通电阻减少能量损耗。此外，该器件适用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流部分，特别是在低电压输出侧作为上管或下管使用，以提升转换效率。
　　在嵌入式系统和物联网节点中，SUM2035GAS2常被用作MCU控制的外设电源开关，实现动态电源管理，延长续航时间。其高速开关能力也使其适用于电机驱动电路中的H桥配置，尤其是在微型直流电机或步进电机的控制中。工业测量仪器、数据采集设备和传感器信号调理电路也会采用该器件进行精密电源控制。
　　由于具备AEC-Q101认证，该MOSFET还可用于汽车辅助电子系统，如车灯控制、电动后视镜驱动、座椅调节模块以及车载摄像头电源管理。在网络通信设备中，它可用于PoE（以太网供电）终端的电源接口管理。此外，在USB电源开关、充电端口保护电路以及热插拔控制器中，SUM2035GAS2凭借其快速响应能力和过流耐受性，能够有效防止浪涌电流损坏后级电路。总之，该器件适用于所有需要小型化、高效能P沟道功率开关的场合。

Si7205DP-T1-GE3,SZMPZS6212ST1G,FDML86191