时间：2025/5/22 12:34:53
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SUM110N08-07P-E3 是一款由半导体制造商生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频开关条件下提供稳定的性能。
其封装形式为 DPAK（TO-252），能够有效散热并支持大电流应用。通过优化的芯片设计，SUM110N08-07P-E3 在提高系统能效的同时降低了整体功耗。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：110A
导通电阻（典型值）：7mΩ
栅极电荷：36nC
开关时间：开启时间 18ns，关断时间 19ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
1. 超低导通电阻，减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下的可靠性。
4. 紧凑型封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 支持高电流负载，适合工业及汽车领域应用。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流/直流转换器的核心功率开关元件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 电池管理系统中的保护和充放电控制电路。
SUM110N08-07P-E2, SUM110N08L-E3, IRFZ44N, FDP11N80E
