时间：2025/6/27 10:45:39
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SUM110N04-05H-E3 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等高效率应用领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-220 封装形式，能够提供低导通电阻和快速开关性能。其设计旨在满足工业级和消费级电子设备对高效能和可靠性的需求。
这款芯片以其出色的热特性和电气特性而闻名，能够在高负载条件下保持稳定运行。同时，它具备良好的抗干扰能力以及过流保护功能，确保在复杂电磁环境下的安全性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：110A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关时间：开通延迟时间 80ns，关断延迟时间 27ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适合现代电力电子应用。
3. 高额定电流能力，使其适用于大功率场景。
4. 强大的散热性能，得益于优化的封装设计。
5. 良好的静电防护能力（ESD），增强了产品的可靠性。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC/DC 转换器及升压、降压电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
6. 各类工业自动化设备中的功率转换模块。
IRFZ44N, FDP159N, STP110N4F-E3
