SUF501C 时间：2025/8/13 23:30:05 阅读：25

SUF501C 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的技术制造，具备高效率、低导通电阻和良好的热稳定性等特点。SUF501C 封装形式为 TO-220，适合用于需要高可靠性和高性能的工业、消费类和汽车电子应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：4.5A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：1.6Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：75W

特性

SUF501C MOSFET 采用了先进的高压技术，具有较低的导通电阻，能够在高电压环境下提供高效的功率转换效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种控制电路中使用，同时具备良好的抗干扰能力和稳定性。其 TO-220 封装设计提供了良好的散热性能，适用于需要长时间工作的高可靠性应用。此外，SUF501C 具有较高的击穿电压和过载保护能力，能够在恶劣的电气环境中稳定运行。
　　该 MOSFET 的栅极结构设计优化了开关速度，降低了开关损耗，适合用于高频开关电源、电机控制和 DC-DC 转换器等应用。其内部结构经过优化，减少了寄生电容的影响，提高了器件的动态响应能力。SUF501C 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定，避免因温度升高而导致的性能下降或失效问题。
　　此外，SUF501C 的制造工艺符合 RoHS 环保标准，适用于对环保要求较高的电子设备设计。该器件的引脚排列和封装设计与许多其他标准 MOSFET 兼容，便于在不同电路中进行替换和使用。

应用

SUF501C 主要应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、照明控制系统和工业自动化设备等。由于其具备较高的电压和电流承受能力，该器件特别适合用于需要高压隔离和高效率功率转换的场合。在汽车电子领域，SUF501C 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统等应用。在消费类电子产品中，该 MOSFET 可用于智能家电、电源适配器和 LED 照明控制器等设备。