时间：2025/6/11 21:18:29
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SUD50P06-15L-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有低导通电阻和高电流处理能力，适合用于高效能开关应用和电源管理领域。此 MOSFET 在汽车电子、工业控制及消费类电子产品中有着广泛的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：74nC
开关速度：快速
封装形式：TOLL
SUD50P06-15L-GE3 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，能够承受高达 50A 的连续漏极电流。
3. 优化的栅极电荷设计，支持高频开关操作。
4. 强固的封装结构，适用于恶劣环境下的应用。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车级应用中的可靠性。
6. 热性能优越，能够有效散热以维持长时间稳定运行。
这款 MOSFET 主要应用于需要高效率和大电流处理能力的场合，包括但不限于以下领域：
1. 汽车电子 - 制动系统、启动电机控制、车载充电器等。
2. 工业设备 - 开关电源、逆变器、电机驱动器。
3. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器、游戏机电源模块。
4. 能量存储系统 - 电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器。
SUD50P06-15L-G, IRFB4110TRPBF, FDP5800
