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SUD45P03-09-GE3 发布时间 时间:2025/6/16 10:28:10 查看 阅读:4

SUD45P03-09-GE3 是一款基于硅技术的高压整流二极管,采用超快速恢复设计。该器件专为高效率、高可靠性的电源应用而设计,适用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。其出色的反向恢复时间和低正向压降使其成为高性能电力电子系统中的理想选择。
  这款二极管具有较高的浪涌电流能力,并且能够在高频条件下保持稳定的性能。此外,它还具备良好的热稳定性和抗静电能力(ESD),从而确保在恶劣环境下的可靠性。

参数

类型:整流二极管
  最大正向电压(Vf):0.9V
  最大反向电压(Vr):600V
  最大平均整流电流(Io):45A
  反向恢复时间(Trr):28ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:GEC3
  结电容:约20pF

特性

SUD45P03-09-GE3 的主要特点是其超快的反向恢复时间(Trr=28ns),这使得它非常适合高频开关应用。此外,它的低正向压降(Vf=0.9V)有助于减少功率损耗,从而提高整体系统的效率。
  该二极管支持高达45A的平均整流电流和600V的最大反向电压,确保其能够在高压大电流环境下稳定运行。同时,其宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃)也增强了其适应各种极端环境的能力。
  另外,该器件采用了优化的硅工艺以降低开关噪声,进一步提升了系统的电磁兼容性(EMC)。这种设计特别适合对效率和可靠性要求极高的工业及汽车应用领域。

应用

SUD45P03-09-GE3 广泛应用于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 不间断电源(UPS)
  - 工业逆变器
  - 太阳能逆变器
  - 电动汽车(EV)充电设备
  - 电机驱动电路
  - 高频整流模块
  这些应用场景均依赖于其高效整流能力和快速动态响应特性,以满足现代电力电子设备对高效率和小型化的需求。

替代型号

SUD45P03-09-GE1, SUD45P03-09-GE2, BYM45P03-09-GE3

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SUD45P03-09-GE3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C45A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.7 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2700pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SUD45P03-09-GE3TR