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SUD40N10-25 发布时间 时间:2025/6/10 16:59:37 查看 阅读:12

SUD40N10-25是一种高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换和开关电路中。该器件采用N沟道技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。
  该器件的工作电压范围为10V,能够承受高达40A的持续电流,适用于多种工业和消费电子领域。

参数

最大漏源电压:10V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:3mΩ
  栅极电荷:8nC
  开关时间:开启时间35ns,关断时间18ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

SUD40N10-25具备低导通电阻特性,这显著降低了功率损耗,提高了效率。同时,其快速的开关速度使得它在高频应用中表现出色。此外,器件采用了先进的封装技术,增强了散热性能,从而提升了整体的可靠性。
  由于其出色的电气性能和热性能,这款MOSFET特别适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的场景。
  该产品还通过了多项质量认证,包括但不限于AEC-Q101汽车级认证,确保其能够在严苛环境下长期稳定运行。

应用

SUD40N10-25被广泛应用于多个领域,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关
  2. 工业自动化设备中的负载控制
  3. 汽车电子系统中的电机驱动与保护
  4. 通信设备中的信号调节
  5. 消费类电子产品中的电池管理及充电解决方案
  其高电流承载能力和低功耗特点使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

SUD40N12-25, IRFZ44N, FDP55N10

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SUD40N10-25参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流40 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)25 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3
  • 封装Reel
  • 下降时间80 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散3 W
  • 上升时间40 ns
  • 工厂包装数量2000
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间15 ns